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本申请涉及一种电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底及其制备方法，属于半绝缘碳化硅衬底技术领域。所述高纯半绝缘碳化硅衬底的电阻率min不低于1E10Ω*cm，且电阻率的高温稳定性优良，衬底放置在不高于2200℃的高温环境中，其电阻率保持不低于1E7Ω*cm；碳化硅晶体中的浅能级杂质浓度低于5E15atoms/cm3，净浅能级杂质浓度低于3E15atoms/cm3，深能级杂质浓度低于3E14atoms/cm3，浅能级杂质包含但不限于N、P、B、Al元素，深能级杂质包含但不限于V、Ti元素，净浅能级杂质浓
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117737856A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311705117.5
(22)申请日2023.12.11
(71)申请人山东天岳先
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