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本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，该改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法包括S10：将翘曲值不合格的覆铜陶瓷基板的上下表面均贴柔性垫片；S20：通过两个压板对贴附有柔性垫片的覆铜陶瓷基板的上下表面压紧；S30：使覆铜陶瓷基板所在的环境成为贫氧环境；S40：调高覆铜陶瓷基板所在环境的温度；S50：将覆铜陶瓷基板所在的环境温度降至室温；S60：覆铜陶瓷基板温度不变后，解除覆铜陶瓷基板所在的贫氧环境。该工艺通过调高覆铜陶瓷基板的自身温度，使铜层具有重塑性，与此同时，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117734289A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311752221.X
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人宁波江丰同芯半导体材料有限公司
地
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