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本发明公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法，涉及数据闪存技术领域，对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取，并根据信息读取结果对闪存单元进行分级，获得对应的闪存阵列；将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内，并确定初始闪存阵列；根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果，建立闪存单元的闪存组合阵列链路，并通过所建立的闪存组合阵列链路，对所需要进行闪存的数据进行分布式存储；完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后，对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新，并将所有的闪存单元
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117742614A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311871852.3
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人深圳市安信达存储技术有限公司
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