1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约8.18千字
  • 约 9页
  • 2024-03-23 发布于四川
  • 举报

超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法.pdf

    一种超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法，通过腐蚀法在硅片的一侧制备出中心孔后，采用全湿法刻蚀至所需厚度后在得到的超薄硅的中心孔一侧表面制绒，然后分别在超薄硅的制绒侧依次生长钝化层和减反层、在相对侧依次生长钝化层、载流子传输层和金属电极层，得到超薄晶硅异质结全背太阳电池。本发明用全湿法对硅片进行减薄得到局域超薄硅片，硅片减薄区域厚度可最低降低至～10μm，进而将这种局域超薄硅片用于制备超薄硅异质结全背太阳电池时，因周边厚硅的存在，在夹持、转运薄硅片和金属掩膜对版时起到良好的骨架作用，可极大降低超

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117747716A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202211113367.5

    (22)申请日2022.09.14

    (71)申请人上海交通大学

    地址200240

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >