双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管及制备方法.pdfVIP

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2024-03-23 发布于四川
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双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管及制备方法.pdf

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本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117747691A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202311563148.1H01L31/0352(2006.01)