《微纳制造技术》教学大纲.pdfVIP

微纳制造技术

《》教学大纲

课程代码：NANA2027

课程名称：微纳制造技术

英文名称：Nanofabrication

课程性质：专业教学课程

学分/学时：2分/36时

考核方式：闭卷考试、课堂报告、课后作业

开课学期：5

适用专业：纳米材料与技术

先修课程：半导体器件物理

后续课程：新能源材料与技术、纳米材料表征技术

选用教材：唐天同，《微纳加工科学原理》，电子工业出版社，2010年

一、课程目标

通过本课程的理论教学与课后作业，使学生具备以下能力：

熟悉微纳制造常用的工艺及方法，了解其应用场景及对比不同方法之间优缺点；可以运用公式计算解

决材料选择、加工参数相关问题；对新兴微纳制造技术及未来发展趋势有一定了解。（支撑毕业要求1-2）

了解微纳制造工艺的基本概念、方法、理论、加工设备的发展演变过程和发展趋势，并结合微纳制造

工艺在集成电路、纳米传感、光电子等器件领域应用，对微纳制造这一前沿研究领域有初步认识，建立相

关领域的知识储备结构，并能在今后的工作中加以结合与应用。（支撑毕业要求2-2）

二、教学内容

第一章绪论（支撑毕业要求1-2）

课时：1周，共2课时

教学内容：

一、微电子的发展历史

二、集成电路基本工艺流程

三、纳米制造的发展

要求学生：了解微电子工业以及微纳制造技术的发展历史，认识当前集成电路加工的主要流程和工艺。

第二章微电子与光电子集成技术中使用的材料（支撑毕业要求1-2，2-2）

课时：2周，共4课时

教学内容

第一节晶体结构与性质

一、晶体的几何结构

二、晶体的电学性质

三、晶体的光学性质

第二节半导体材料

一、元素半导体

二、III-V族半导体

三、II-VI族半导体

四、IV-IV族化合物半导体

第三节纳米结构与材料

一、半导体超晶格结构

二、量子阱、量子线和量子点

要求学生：对晶体材料的几何结构、能带结构和电学性质基础认知；了解硅与几种典型半导体材料的特点

和用途；了解新型一维、二维材料的结构特点以及用途。

第三章光刻（支撑毕业要求1-2，2-2）

课时：2周，共4课时

教学内容

第一节光学光刻

一、接触式和接近式曝光光刻

二、投射式光刻

三、先进光刻技术和其他改进分辨率的方法

第二节光刻胶

一、光刻胶类型

三、涂敷和显影工艺

三、光刻胶的化学放大和对比度增强技术

第三节X射线曝光技术

一、X射线曝光原理

二、X射线曝光技术应用

要求学生：了解光刻技术的种类；学会改进分辨率的方法及相关参数计算；熟悉光刻工艺的具体步骤；认

识新型光刻设备的优点及其应用；掌握使用软件绘制简单的光刻掩膜版的能力。

第四章刻蚀技术（支撑毕业要求1-2，2-2）

课时：2周，共4课时

教学内容

第一节化学湿法腐蚀技术

一、硅的各向异性腐蚀

二、硅的各向同性腐蚀

第二节干法刻蚀之一：反应离子刻蚀

第三节干法刻蚀之二：物理刻蚀

要求学生：了解刻蚀技术的概念及原理；掌握运用公式计算获取加工参数的能力；理解湿法与干法刻蚀的

区别及各自的应用场景。

第五章掺杂与热氧化（支撑毕业要求1-2，2-2）

课时：2周，共4课时

教学内容

第一节扩散

一、概述

二、扩散方程

三、固相扩散的物理模型

四、扩散设备

第二节热氧化

一、概述

二、硅的热氧化过程及氧化层的性质

三、氧化设备

四、等离子体氧化

第三节离子注入

一、概述

二、离子注入设备

三、离子注入过程

四、离子注入的沟道效应与辐射损伤

五、退火

要求学生：了解掺杂和热氧化相关技术概念、原理；掌握运用公式计算获取加工参数的能力；了解相关设

备的原理、优缺点及适用场景。

第六章薄膜沉积（支撑毕业要求1-2，2-2）

课时：2周，共4课时

教学内容

第一节蒸发沉积

一、蒸发、升华和凝结

二、真空蒸发沉积及装置

三、多组分薄膜的沉积

第二节溅射沉积

一、溅射简介

二、溅射沉积过程和沉积速率

三、离子束沉积

第三节化学气相沉积

一、概述

二、化学气相沉积的原理

三、化学气相沉积装置

第四节外延生长

一、概述

二、分子束外延

三、金属有机化合物气相外延

要求学生：了解几种典型的薄膜沉积技术；了解其相关设备的原理、优缺