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二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列.pdfVIP

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  • 2024-03-24 发布于四川
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二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列.pdf

    本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电极，下沟槽电极和下中央电极间填充有下半导体基体；上沟槽电极和下沟槽电极的外宽均为2RX，下沟槽电极位于上沟槽电极下方，两者垂直相距d3，且两者水平方向四分之一部位重叠，上中央电极和下中央电极规格相同。通过吸杂氧化在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109935643A

    (43)申请公布日

    2019.06.25

    (21)申请号20191

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