集成电路科学与工程导论第五章 集成电路制造工艺.pptxVIP

00;内容提要;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;STI技术;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.1 传统互补型金属氧化物半导体制造工艺;5.2;5.2 新型CMOS制造工艺;SIMOX技术制造SOI晶圆流程;BESOI技术制造SOI晶圆流程;5.2 新型CMOS制造工艺;5.2 新型CMOS制造工艺;;5.2 新型CMOS制造工艺;5.2 新型CMOS制造工艺;三星公布的MBCFET工艺示意图;硅通孔的结构;5.2 新型CMOS制造工艺;5.3 先进集成电路制造工艺技术;多重图形技术;技术优点： ①版图一分为二使得图形间距增大，从而降低了工艺难度； ②应用范围广泛，能够在晶体管层、金属层和通孔等通用； ③应用时无须改造当前制造设备以及光刻所需材料，具有实用性。;双重图形技术的实现工艺可分为以下三种： ①光刻-刻蚀-光刻-刻蚀（LELE）工艺 ②光刻-冻结-光刻-刻蚀（LPLE）工艺 ③自对准双重图形（SADP）技术;LELE(Litho-Etch-Litho-Etch);LPLE（Litho-Pro