湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化.pdfVIP

湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和

均一性的影响及工艺参数优化

摘要：目的在高世代薄膜晶体管（ThinFilmTransistor,TFT）产线的栅极刻蚀制程，明确大气压等离子体

（AtmospherePressurePlasma,APP）清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、

坡度角)的影响规律，并获得最佳工艺条件，进而提升良率。方法以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间

为影响因素，以关键尺寸偏差（CDBias）、均一性、坡度角作为因变量，开展正交试验，明确因素影响重要

性顺序；然后，对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析；最后，采用回归分析获得刻蚀性能与

刻蚀时间的函数关系式。结果结果表明：刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大，对APP清洁时间和功率的影

响较小。刻蚀时间延长，关键尺寸偏差（CDBias）增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓

坡度角，应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为：刻蚀时间85s，APP电压9kV，APP传输速度5400r/min。

结论刻蚀时间延长