SEM扫描电子显微镜课件.ppt

*SEM*一、背散射电子成像*SEM*一、背散射电子成像可以将背散射成像与二次电子成像结合使用，这样图像层次(景深)增加，细节清楚。带有凹坑样品的扫描电镜照片*SEM*一、背散射电子成像在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。原子序数衬度原理原子序数对背散射电子产额的影响*SEM*一、背散射电子成像因此，在进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区原子序数衬度原理*SEM*一、背散射电子成像ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像，1000×由于ZrO2相平均原子序数远高于Al2O3相和SiO2相，所以图中白色相为斜锆石，小的白色粒状斜锆石与灰色莫来石混合区为莫来石－斜锆石共析体，基体灰色相为莫来石。*SEM*二、吸收电子成像吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少．吸收电子越多，反之样品的原子序数越大，则背散射电子越多，吸收电子越少。因此，吸收电子像的衬度是与背散射电子和二次电子像的衬度互补的。背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。*SEM*二、吸收电子成像铁素体基体球墨铸铁拉伸断口的背散射电子像和吸收电子像背散射电子像，黑色团状物为石墨吸收电子像，白色团状物为石墨*SEM*扫描电镜的主要特点分辨率高放大倍率高（M=Ac/As）景深D大（Ds≈2ΔR0/β）保真度好样品制备简单*SEM*一、分辨率高扫描电子显微镜分辨率的高低和检测信号的种类有关。主要信号的分辨率如下表：信号二次电子背散射电子俄歇电子吸收电子特征X射线分辨率nm5~1050~2005~10100~1000100~1000*SEM*由左图知，俄歇电子和二次电子因其本身能量较低以及平均自由程很短，只能在样品的浅层表面内逸出，在一段情况下能激发出俄歇电子的样品表层厚度约为0.5-2nm，激发二次电子的层深为5-10nm范围。入射电子束进入浅层表面时，尚未向横向扩展开来，因此,俄歇电子和二次电子只能在一个和入射电子束斑直径相当的圆住体内被激发出来。因为束斑直径就是一个成像检测单元(像点)的大小，所以这两种电子的分辨率就相当子束斑的直径。约为5-10nm。电子束的滴状作用体积示意图*SEM*当入射电子束进入样品较深部位时，横向扩展的范围变大，从这个范围中激发出来的背散射电子能量很高，它们可以从样品的较探部位处弹射出表面，横向扩展后的作用体积大小就是背散射电子的成像单元，从而使它的分辨率大为降低。入射电子束还可以在样品更深的部位激发出特征X射线来。X射线的作用体积变得更大，因此，若用X射线调制成像，它的分辨率比背散射电子更低。所谓扫描电子显微镜的分辨率，即二次电子像的分辨率。电子束的滴状作用体积示意图SEMSEM*找*找*SEM*扫描电子显微镜引言电子与固体试样的交互作用扫描电镜结构原理表面形貌衬度原理与应用原子序数衬度原理与应用扫描电镜的主要特点*SEM*扫描电子显微镜的简称为扫描电镜，英文缩写为SEM(ScanningElectronMicroscope)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。现在SEM都与能谱（EDS）组合，可以进行成分分析。所以，SEM也是显微结构分析的主要仪器，已广泛用于材料、冶金、矿物、生物学等领域。引言*SEM*电子与固体试样的交互作用一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、背散射电子、阴极发光、特征X射线、俄歇过程和俄歇电子、吸收电子、透射电子等。*SEM*样品入射电子Auger电子阴极发光背散射电子二次电子X射线透射电子*SEM*一、背散射电子背散射电子是被固体样品中的原于反弹回来的一部分入射电子。弹性背散射电于是指被样品中原于核反弹回来的，散射角大于90度的那些入射电子，其能量没有损失。非弹性背散射电子是入射电子和样品核外电子撞击后产生的非弹性散射，不仅方向改变，能量也不同程