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微电子器件课件32;由于WBLB，根据2-2-6节薄基区二极管的近似结果，可得：;这里必须采用薄基区二极管的精确结果，即：;;静态下的空穴电荷控制方程为;式中，即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使WB↓，LB↑。;上面只考虑了少子在基区体内的复合损失，但实际上少子在基区表面也会发生复合，使基区输运系数减小。生产中必须严格控制表面处理工艺，以减小表面复合。;3.2.2基区渡越时间;;3.2.3发射结注入效率;当WBLB及WELE时，;将代入中，得：;利用方块电阻的概念，可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为R口。;;;精品课件！;精品课件！