GB/T 24581-2022硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法.pdf

ICS77.040

CCSH17

g亘

中华人民共和国国家标准

GB/T24581-2022

代替GB/T24581-2009

硅单晶中E、V族杂质含量的测定

低温傅立叶变换红外光谱法

TestmethodforIIIandVimpuritiescontentinsinglecrystalsilicon一

LowtemperatureFT-IRanalysismethod

2022-03-09发布2022-10-01实施

国家市场监督管理总局串舍

国家标准化管理委员会也叩

GB/T24581-2022

前言

本文件按照GB/T1.12020《标准化工作导则第l部分z标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件代替GB/T24581-2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中田、V族杂质含量的测

试方法》，与GB/T24581-2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

a)删除了“目的气见2009年版的第1章h

b)更改了确（B）、磷（P）、碑（As）、铝（Al）、镑。b）、镣（Ga）的测定范围，并增加了锢(In）含量的测

定（见第1章，2009年版的第2章刘

c)更改了术语和定义（见第3章，2009年版的第5章）；

d)增加了杂质含量小于5.0×1011cm3的样品的测量条件〈见5.6);

e)增加了用次强吸收谱带P(275cm1）来计算磷（P）元素的含量（见5.8〕9

f)增加了掺杂硅单晶对测量的影响（见5.9);

自）更改了多晶转变为单晶的方法（见5.12,2009年版的8.1);

h）更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求（见7.4,2009年版的7.4);

i)增加了千分尺及其精度要求（见7.5);

j)更改了非零响应值谱线范围（见9.2,2009年版的10.2〕g

u更改了背景光谱的扫描次数（见9.7,2009年版的11.5);

I)更改了样品的扫描次数（见9.10,2009年版的11.的；

m）表1中增加了P(275cm-1）对应的峰位置、基线和积分范围及校准因子（见10.l);

n）更改了杂质含量的单位，并对计算公式进行了相应的修约〈见10.4,2009年版的13.l、13.2);

o)更改了测量结果的精密度（见第11章，2009年版的第15章）;

p)更改了试验报告的内容（见第12章，2009年版的第14章k

q)删除了偏差、关键词（见2009年版的第16章、17章）。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203〕与全国半导体设备与材料标准

化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口．

本文件起草单位s乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有

限公司、亚洲硅业（青海〉股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥

股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅

高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司