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- 2024-03-30 发布于四川
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本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于相变均热的高压高频功率器件基板结构，包括平行设置的铜基板和DBC基板，铜基板上开设有凹槽，凹槽内部设有凸台；DBC基板架设于凹槽上，铜基板和凸台均与DBC基板的下铜层连接；DBC基板的上铜层用于连接高压高频功率器件；当铜基板与DBC基板连接后，凹槽在DBC基板的覆盖下形成散热空腔；散热空腔内部充设有相变工质，且散热空腔内部预设真空度。本发明通过注入相变工质后抽一定程度真空形成相变传热循环，显著提高了基板的散热效率。通过减少DBC基板下层铜的面积并
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790441A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311847551.7
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人西安交通大学
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