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本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：沿第一方向依次堆叠的第一介电层、停止层、以及第二介电层，停止层具有沿第二方向交错排布的开口，第二介电层还填充在开口内；接触塞，至少位于第一介电层中，多个接触塞沿第二方向交错排布，且与开口对应，在第一方向上，接触塞的顶表面低于停止层的顶表面；金属线，位于停止层表面，多条金属线沿第二方向排布，每一金属线沿第三方向延伸经过至少一开口，并在开口处向接触塞延伸至与接触塞连接。上述技术方案通过在第一介电层与第二介电层之间设置停止层，避免金属线进入第一介电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117794242A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311728419.4
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司
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