VCSEL激光器技术科普！.docxVIP

什么是VCSEL激光器？

VCSEL激光器全名为垂直共振腔表面放射激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,VCSEL），简称面射型激光器。它以砷化镓半导体材料为基础研制，是一种半导体激光器。

其激光垂直于顶面射出，与激光由边缘射出的边射型激光有所不同。因此相较于边射型激光器，VCSEL激光器具有低阈值电流、稳定单波长工作、可高频调制、容易二维集成、没有腔面阈值损伤等优点，在半导体激光器中占有很重要的地位。

边发射激光器和面发射激光器VCSEL

VCSEL芯片基本结构

VCSEL的结构示意图如下图所示。它是在由高、低折射率介质材料交替生长成的分布布喇格反射器（DBR）之间连续生长单个或多个量子阱有源区所构成。典型的量子阱数目为3~5个，它们被置于驻波场的最大处附近，以便获得最大的受激辐射效率而进入振荡场。在底部还镀有金属层以加强下面DBR的光反馈作用，激光束从顶部透明窗口输出。

实际上，要完成低阈值电流工作，和一般的条型半导体激光器一样，必须使用很强的电流收敛结构，同时进行光约束和截流子约束。由上图可见，VCSEL的半导体多层模反射镜DBR是由GaAs/AlAs构成的，经蚀刻使之成为air-post（台面）结构。

在高温水蒸汽中将AlAs层氧化，变为有绝缘性的AlxOy层，其折射率也大大降低，因而成为把光、载流子限制在垂直方向的结构。对VCSEL的设计集中在高反射率、低损耗的DBR和有源区在腔内的位置。

VCSEL的结构与关键工艺介绍

VCSEL有几个关键工艺，这几个关键工艺决定了器件的特性与可靠性。

关键技术一：VCSEL外延

銦镓砷InGaAs井（well）铝镓砷AlGaAs垒（barrier）的多量子阱（MQW）发光层是最合适的，跟LED用In来调变波长一样，3D传感技术使用的940纳米波长VCSEL的銦In组分大约是20%，当銦In组分是零的时候，外延工艺比较简单，所以最成熟的VCSEL激光器是850纳米波长，普遍使用于光通信的末端主动元件。

发光层上、下两边分别由四分之一发光波长厚度的高、低折射率交替的外延层形成p-DBR与n-DBR，一般要形成高反射率有两个条件，第一是高低折射率材料对数够多，第二是高低折射率材料的折射率差别越大，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所发出的激光是否透明，例如940纳米激光由于砷化镓衬底不吸收940纳米的光，所以设计成衬底面发光，850纳米设计成正面发光，一般不发射光的一面的反射率在99.9%以上，发射光一面的反射率为99%。

目前的AlGaAs铝镓砷结构VCSEL大部分是用高铝（90%）的Al0.9GaAs层与低铝（10%）Al0.1GaAs层交替的DBR，反射面需要30对以上的DBR（一般是30~35对才能到达99.9%反射率），出光面至少要24~25对DBR（99%反射率），由于后续需要氧化工艺来缩小谐振腔体积与出光面积，所以在接近发光层的p-DBR膜层的高铝层需要使用全铝的砷化铝AlAs材料，这样后面的氧化工艺可以比较快完成。

外延与氧化工艺是VCSEL良率与光电特性好坏的关键

关键技术二：氧化工艺

这个技术是LED完全没有的工艺，也是LED红光发明人奥隆尼亚克（NickHolonyakJr.）发明的技术，如图6所示，主要利用氧化工艺缩小谐振腔体积与发光面积，但是过去在做氧化工艺的时候，很难控制氧化的面积，只能先用样品做氧化工艺，算出氧化速率，利用样品的氧化速率推算同一批VCSEL外延片的氧化工艺时间，这样的生产非常不稳定，良率与一致性都很难控制！

精确控制氧化速度让每个VCSEL芯片的谐振腔体积可以有良好的一致性，没有过氧化或少氧化的问题，这样在做阵列VCSEL模组的时候才会有精确的光电特性。

即时监控氧化面积是最好的方法，法国的AETTechnology公司设计了一台可以利用砷化铝（AlAs）氧化成氧化铝（AlOx）之后材料折射率改变的反射光谱变化精确监控氧化面积，这种精密控制氧化速率的设备，可以省去过去工程师用试错修正来调试参数，对大量稳定生产VCSEL芯片提供了最好的工具。

法国AET科技公司推出的VCSEL即时监控的氧化制程设备，让VCSEL量产更稳定

关键技术三：保护绝缘工艺

跟LED一样，最后只能保留焊线电极上没有绝缘保护层在上面，由于激光二极管的功率密度更大，所以VCSEL更需要这样的保护层。

更重要的是为了不让氧化工艺的AlAs层继续向内氧化影响谐振腔体积，造成激光特性突变，保护层的膜层质量非常重要，尤其是侧面覆盖的致密性更为重要，过去都是用等离子加强气相化学沉积机PECVD来镀这层膜，但是为了要保持致密性需要较厚的膜层，但是膜层太厚会造成应力过大影响器