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2024-03-30 发布于四川
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制造半导体装置的方法.pdf

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本公开涉及制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括：在基板上形成第一光致抗蚀剂层；在第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。该方法还包括通过向第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的一些部分照射曝光用光，在第一光致抗蚀剂层中形成具有第一宽度的第一可溶解区域并且在第二光致抗蚀剂层中形成具有与第一宽度不同的第二宽度的第二可溶解区域。该方法还包括：通过对第二可溶解区域和第一可溶解区域进行显影，在第二光致抗蚀剂层中形成第二开口并且在第一光致抗蚀剂层中形成第一开口。该方法附加地包括形成填充第一开口和

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790322A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202310219679.2

(22)申请日2023.03.08

(30)优先权数据

10-2022-0122851

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