TCPIA 0051-2023 晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法传输线模型法（TLM）.docxVIP

ICS 27.160CCS F12

团 体 标 准

T/CPIA0051—2023

晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM）

Testmethodforcontactresistivityofcrystallinesiliconphotovoltaiccellmetalelectrodetransferlengthmethod（TLM）

2023-10-15发布 2023-10-30实施

中国光伏行业协会??发布

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目 次

前言 III

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

方法原理 1

要求 2

样品制备 2

测试步骤 3

报告 4

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前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：英利能源（中国）有限公司、英利能源发展有限公司、英利能源发展(保定)有限

公司、中国电子技术标准化研究院、常熟阿特斯阳光电力科技有限公司、晶科能源（海宁）有限公司、天合光能股份有限公司、江苏润阳新能源科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心、无锡帝科电子材料股份有限公司、贺利氏光伏（上海）有限公司、中国国检测试控股集团股份有限公司、一道新能源科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司。

本文件主要起草人：张东升、吝占胜、王静、李英叶、王子谦、李淮宁、许涛、李宁、杜文星、陈如龙、时强、张洪旺、金若鹏、张惠登、李家栋、任改改。

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晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM）

范围

本文件规定了用传输线模型法（TLM）测试晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的测试方法，包含方法原理、要求、样品制备、测试步骤、数据处理和报告。

本文件适用于在暗室环境下晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测量。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2297 太阳光伏能源系统术语

GB/T14264 半导体材料术语

术语和定义

GB/T2297和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

方法原理

在硅片样品上印刷、烧结间距相同的6根矩形栅线如图1所示，分别以栅线1到栅线2、栅线3、栅线4、栅线5和栅线6的间距作为横坐标，用微欧计测量的电阻值RT为纵坐标，RT组成如公式（1）所示。对栅线间距和RT进行曲线拟合得到栅线与硅片的接触电阻、有效电流传输距离。再结合栅线长度根据公式（2）计算接触电阻率。

栅线1栅线2栅线3栅线4栅线5栅线6探针

栅线1栅线2栅线3栅线4栅线5栅线6

栅线

光伏样品

式中：

图1 测试原理示意图

RT?2RC?2Rm?RS （1）

RT——测量的每两根栅线间总的电阻，单位为欧姆（Ω）；RC——金属栅线和半导体的接触电阻，单位为欧姆（Ω）；RS——半导体电阻，单位为欧姆（Ω）；

Rm——金属栅线的电阻，单位为欧姆（Ω）。

???=??×??×?·················································（2）

?

????()

??

式中：

ρc——金属栅线和半导体接触电阻率，单位为毫欧·平方厘米（mΩ·cm2）；

W——栅线长度，单位为毫米（mm）；

LT——有效电流传输距离，单位为微米（μm）。

要求

微欧计

测量精度：1mΩ。

测量环境条件

温度:23℃±1℃；湿度:60%±20%；暗室环境。

样品制备

制备表面方阻均匀一致的硅片样品，片内方阻均匀性应满足Wt≤5%，均匀性按公式（3）进行计算：

?□?????□???

式中：

??=

?□???

?

+?□???

×100%·······················