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- 2024-04-03 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在基底表面和若干初始鳍部侧壁形成第一保护层以及位于第一保护层上的初始隔离结构，初始隔离结构暴露出初始鳍部的顶部表面和初始鳍部侧壁的第一保护层的顶部表面；刻蚀暴露出的第一保护层，直到第一保护层顶部表面低于初始鳍部的第一区的顶部表面，在初始鳍部侧壁和初始隔离结构之间形成第一侧墙和位于第一侧墙上的沟槽；在刻蚀暴露出的第一保护层之后，在初始隔离结构表面和初始鳍部表面形成第二保护层；回刻初始隔离结构和第二保护层，直到初始隔离结构顶部齐平于或低于第一区顶部表面，形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810224A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211167481.6
(22)申请日2022.09.23
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限
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