辐射式传感器.pptVIP

**Cd镉Te碲**散射法:放射源和核辐射探测器可置于被测物质的同一侧，射入的被测物质中的射线，由于和被测物质的相互作用，而使得其中的一部分射线反向折回，并进入位于与放射源同侧的核辐射探测器而被测量。射到核辐射探测器处的后向散射射线强度与放射源至被测物质的距离，以及与被测物质的成分、密度、厚度和表面状态等因素有关，因此改变其中一个参数而保持其它参数不变，则测得的射线强度将仅随该参数而变化。利用这种方法可测量薄板的厚度、覆盖层厚度、材料的成分、密度等参数。这种方法的优点为非接触测量，且不损坏被测物质闪烁计数器当闪烁体受到辐射时闪烁体的原子受激发光，光透过闪烁体射到光电倍增管的阴极上激发出电子，在光电倍增管中倍增，在阳极上形成电流。第20页,共44页，2024年2月25日，星期天1200V闪烁探测器测量射线信号的基本特征入射射线E＝hνV输出端电信号输出信号幅度：V∝E脉冲信号产生率∝单位时间进入探测器射线数NaI(Tl)gdB通过分辩信号幅度，可以分辩射线能量；通过测量脉冲信号数，可以测定射线强弱。第21页,共44页，2024年2月25日，星期天5、半导体探测器荷电粒子一入射到固体中就与固体中的电子产生相互作用并失去能量而停止。入射到半导体中的荷电粒子在此过程产生电子和空穴对。而X射线或γ射线由于光电效应、康普顿散射、电子对生成等而产生二次电子，此高速的二次电子经过与荷电粒子的情况相同的过程而产生电子和空穴。若取出这些生成的电荷，可以将放射线变为电信号。主要使用的是Si和Ge，对GaAs、CdTe等材料。开发的半导体传感器有PN结型传感器、表面势垒型传感器、锂漂移型传感器、非晶硅传感器等。第22页,共44页，2024年2月25日，星期天α射线可实现气体分析，如气体压力、流量测量；β射线可进行带材厚度、密度检测；γ射线可探测材料缺陷、位置、密度与厚度测量。五、核辐射传感器的应用第23页,共44页，2024年2月25日，星期天（1）??测厚透射式测厚透射式测厚常用闪烁探测器，闪烁探测器记录穿透物体的γ射线的强度，其输出电流与辐射强度成正比。在辐射穿过物质时，由于物体吸收作用损失部分强度，强度按指数规律变化：第24页,共44页，2024年2月25日，星期天透射式厚度计1.核辐射厚度计第25页,共44页，2024年2月25日，星期天散射式测厚散射测厚时β放射（或低能X射线）源与探测器在同一侧，利用核辐射被物体后向散射的效应。散射强度与被测距离、物质成份、密度、厚度表面状态等因素有关：利用这种方法可测量薄板的厚度、覆盖层厚度、材料的成分、密度等参数。这种方法的优点为非接触测量，且不损坏被测物质。第26页,共44页，2024年2月25日，星期天射线强度与散射体厚度之间的关系式为J散=J饱和（1-e-kρt）式中：t和ρ——散射体的厚度和密度；J散和J饱和——厚度为t和厚度为“无限大”时的后向散射β射线强度；k——与射线能量有关的系数。第27页,共44页，2024年2月25日，星期天（2）物位测量利用介质对γ射线的吸收作用，不同介质对γ射线的吸收能力不同，固体吸收能力最强，液体居中，气体最弱。辐射源与被测介质一定，被测介质高度H与穿过被测介质的射线强度I成正比关系。第28页,共44页，2024年2月25日，星期天图(b)将射线源和探测器分别安装在容器的下部和上部，射线穿过容器中的被测介质和介质上方的气体后到达探测器。显然，探测器接收到的射线强弱与物位的高度有关。这种方法可对物位进行连续测量，但是测量范围比较窄(一般为300~500mm)，测量准确度较低。第29页,共44页，2024年2月25日，星期天辐射式物位计(γ射线)图(a)定点测量:将射线源I0与探测器安装在同一平面上，由于气体对射线的吸收能力远比液体或固体弱，因而当物位超过和低于此平面时，探测器接收到的射线强度发生急剧变化。可见，这种方法不能进行物位的连续测量。第30页,共44页，2024年2月25日，星期天（3）流量计（气体）??在气流管中装两个电极（电极电位不同）放射源S的射线使气体电离，工作状态相当于一个电离室。当被测气体被电离时，离子被带出电离室，室内电流减小，气体流速增加带出的离子增多电离室电流进一步减小，由电流的变化检测气流流速和流量。放射源电极电极气流EA第31页,共44页，2024年2月25日，星期天（4）探伤??探测器与放射源放在