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- 2024-04-03 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部位于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部上；介质层，所述介质层填充于相邻栅极结构之间；在所述基底上形成盖层，所述盖层覆盖所述介质层；以所述盖层为掩膜，刻蚀所述栅极结构和鳍部以形成阻挡开口，所述阻挡开口底部露出所述衬底；在所述阻挡开口内形成阻挡结构。所述盖层在刻蚀形成所述阻挡开口的过程中，起自对准掩膜的作用，因此在形成所述阻挡开口的过程中，能够有效避免掩膜的使用，能够有效减少掩膜的使用数量，能够有效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810081A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211167470.8
(22)申请日2022.09.23
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限
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