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本发明属于二维材料制备领域，具体涉及Co2Si单晶二维材料的制备方法，将盛放有钴源的容器A放置在气相沉积管的温区A；将盛放有硅片的容器B放置在所述气相沉积管的温区B，并将SiO2/Si基底放置在容器B上，且SiO2/Si基底的抛光面朝向所述的硅片；将温区A的温度控制在T1，温区B的温度控制在T2，使温区A的钴源挥发并在载气携带下在SiO2/Si基底的抛光面气相沉积，得到Co2Si单晶二维材料；所述的T1为温度为700～750℃；T2为830～1040℃，载气的流量为40～200sccm；硅片与钴
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117822123A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202310718318.2
(22)申请日2023.06.16
(71)申请人湖南大学
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