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本发明涉及一种半导体BOE蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：氢氟酸2‑10份；氟化铵20‑40份；复合表面活性剂0.02‑0.1份；复合消泡剂0.3‑1.5份；超纯水25‑40份。本发明还公开了给蚀刻液的制备方法。本发明所选的杂交型双链氟碳表面活性剂A结构为双链型氟碳，分子中包含一个碳氟链和一个碳氢链，此表面活性剂不仅可以降低临界胶束浓度，降低溶液的表面张力，而且还可以降低溶液与其他表面活性剂之间的界面张力，有利于溶解其余的表面活性剂。表面活性剂B的加入可以使溶液的表面张力再次降低。复合消泡
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117821069A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311645363.6
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人浙江奥首材料科技有限公司
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