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谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装

陈德勇漕明威;王军波;焦海龙涨健

【摘要】为了提高传感器的品质因数，有效保护谐振器，提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法.该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后，通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构.最后，利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔，通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中.对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效，封装气密性良好;传感器在10kPa~110kPa的差分检测灵敏度约为10.66Hz/hPa,线性相关系数为0.99999542.

【期刊名称】《光学精密工程》【年(勤期】2014(022)005【总页数】8页(P1235-1242)【关键词】微电子机械系统;谐振式压力传感器;绝缘体上硅(SOI);阳极键合;真空封

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【作者】陈德勇漕明威;王军波;焦海龙涨健

【作者单位】中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100190;中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100190;中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100190;中国科学院电子学研究所传感技术

国家重点实验室北京100190；中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室

北京100190【正文语种】中文

【中图分类】TP212.1

1引言

谐振式压力传感器作为典型的高精度压力传感器，在航空航天、气象探测、工业控制等领域有着非常重要的作用［1］。它利用压力的变化引起敏感膜的形变，敏感膜的形变又改变在其上的双端固支谐振梁的谐振频率，从而可通过测量谐振梁的谐振频率变化间接测量压力。谐振式MEMS压力传感器有机结合了微机电加工技术和机械谐振式传感技术，除了具有传统机械谐振传感器精度高、稳定性好、准数字输出等优点之外，还具有体积小、功耗低、与集成电路工艺兼容、易于大批量生产等特点［2］。

上世纪80年代以来，国内外众多公司与研究机构广泛开展了谐振式MEMS传感器及其真空封装技术的研究。其中DRUCK公司Greenwood［3］等人研制出蝶形结构的谐振式MEMS压力传感器，由于真空封装过程涉及两次玻璃焊料高温黏合，且其中一次黏合需要精确对准盖板上的金属电极与基板上的谐振器，加工难度较大。横河电机Ikeda［4］等人研制了电磁激励、电磁检测的谐振式MEMS压力传感器，制作过程涉及扩散、多晶硅外延生长和多次薄膜沉积工艺，虽然将谐振器封装在独立腔室中，但制作过程非常复杂。国内在这方面也有相关研究，中科院电子学研究所陈德勇［5］等人制作了电热激励的谐振式MEMS压力传感器，但采用了单芯片管壳封装，不仅封装效率低，还存在热应力较大的问题。史晓晶

［6］、李玉欣［2,7］等人采用扩散硅工艺制作了梁膜一体的谐振式MEMS压力传感器，其真空封装采用黏合键合的方法进行单片封装，该方案存在以下缺点：（1）将谐振器暴露在空气中使谐振器的品质因数难以提高；（2）没能形成对谐振器的有效保护；（3）采用有机黏合材料封装，引入应力较大且长期稳定性较差;

（4）单芯片封装，效率低。

本文介绍了一种基于绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator,SOI）T艺的谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装方法，利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃晶圆上制作空腔和电连接通孔，并通过硅-玻璃阳极键合将谐振器封装在真空中。该方法有利于提高谐振器的品质因数，并形成对谐振器的有效保护。与有机黏合材料和金属焊接材料相比，阳极键合采用的Pyrex玻璃与单晶硅的热膨胀系数匹配更好，减小了真空封装引入的应力；圆片级真空封装的实现，大大提高了封装效率。

2传感器的设计

2.1工作原理与结构设计

根据振动部分的结构特征，谐振式压力传感器分为谐振筒式、谐振膜式和谐振梁式压力传感器。本文选择了双端固支H型谐振梁作为谐振器[8],如图1所示，H型谐振梁由2根单梁组成，通过中间的连接点连接。采用电磁激励和电磁拾振的方式，将H型谐振梁水平放置，同时在其周围提供竖直方向的均匀磁场，当其中—根单梁上通过交变电流时，H型谐振梁受到周期性安培力的作用进行受迫振动，另一根单梁在均匀磁场中切割磁感线而产生感应电动势。当交变电流的频率与H型谐振梁固有频率相同时，H型谐振梁振幅达到最大，通过检测由此产生的最大电动势可检测到H型谐振梁的固有频率。

图1H型谐振梁结构示意图Fig.1