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Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究的开题报告
题目：Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究
一、选题背景及研究意义
Ⅳ-Ⅵ族半导体材料在光电器件、电子器件、纳米器件等领域中具有重要的应用价值。而低维结构的Ⅳ-Ⅵ族半导体材料，具有独特的光学、电学、热学等性质，被广泛应用于激光器、太阳能电池、光电探测器等领域。因此，研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质具有重要的科学意义和应用价值。
二、研究内容和方法
1.研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质，包括线性光学性质和非线性光学性质。
2.制备Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的样品，包括量子点、纳米线、薄膜等结构。
3.采用多种手段对样品进行表征，包括XRD、TEM、PL等技术。
4.实验测量样品在外界光源下的吸收spectra、荧光spectra等光学性质。
5.分析和讨论样品的光学性质及其内在机理，通过亚纳米级的光学结构和材料的光电性能相结合，研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构材料中的致发光机理和量子调控性质。
三、论文结构和进度安排
1.第一章绪论
1.1研究背景和意义
1.2国内外研究现状
1.3研究方法和内容
2.第二章实验材料和方法
2.1实验材料
2.2实验方法
3.第三章实验结果与分析
3.1样品的表征
3.2光学性质的测量和分析
4.第四章结论与展望
4.1对实验结果进行总结和分析
4.2未来研究方向和展望
5.参考文献
6.致谢
时间安排：
第一阶段：查阅相关文献和资料，撰写开题报告，1周
第二阶段：材料制备和表征，4周
第三阶段：实验测量和数据分析，6周
第四阶段：论文撰写和修改，3周
四、参考文献
1.Wang,X.,etal.UltrathinCdSnanotubeswithspecificfacetingandenhancedvisible-lightphotocatalyticactivity.NanoLetters,2011,11(5):2219-2225.
2.Yang,P.,etal.Chemicalfunctionalizationofsemiconductornanowires.AdvMater,2002,14(7):462-466.
3.Zhang,W.,etal.Single-crystallineNiOnanourchinsself-assembledfromnanorodsforefficientphotocatalysis.AdvFunctMater,2012,22(7):1515-1522.
4.Liu,J.,etal.In-situgaseousdecompositionsynthesisofsingle-crystallineultrathinα-NiSnanosheetsforefficientwateroxidation.AngewandteChemieInternationalEdition,2014,53(26):6782-6786.
5.Wang,X.,etal.α-Fe2O3nanoflakeswithenhancedhigh-frequencydielectricbehaviorasmicrowaveabsorbers.JournalofMaterialsChemistryC,2013,1(41):6891-6897.
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