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本公开提供了一种用于嵌入式闪存的加速装置和方法，属于计算机领域。该装置包括：缓存模块和加速模块，缓存模块包括第一先进先出缓存单元和第二先进先出缓存单元，第一先进先出缓存单元和第二先进先出缓存单元用于存储预测数据，预测数据是根据MCU的第一读指令确定；加速模块包括读加速单元，读加速单元用于接收MCU的第二读指令，第二读指令用于访问嵌入式闪存的第一地址，第二读指令是第一读指令的下一个读指令，根据第一地址生成第三读指令，第三读指令用于访问嵌入式闪存、第一先进先出缓存单元或第二先进先出缓存单元。采用两个
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117827689A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311748189.8
(22)申请日2023.12.18
(71)申请人安徽敏矽微电子有限公司
地址2
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