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碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法.pdf

    [课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的温度梯度成为规定温度以下的方式，使碳化硅单晶生长。基底面之中的超过临界分切应力的区域R1‑R3与棱柱面之中的超过临界分切应力的区域S1‑S4发生重叠的区域T1‑T4的面积小于晶体生长面的面积的一半。进而，区域T1‑T4的面积小于基底面之中的不超过临界分切应力的区域R4与区域S1‑

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117822118A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311279562.X(51)Int.Cl.

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