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图像传感器器件及其形成方法.pdfVIP

图像传感器器件及其形成方法.pdf

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    本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111987115A

    (43)申请公布日

    2020.11.24

    (21)申请号20201

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