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本发明公开一种碳化硅晶体生长装置，包括生长炉；坩埚；坩埚的顶部开口，坩埚设置在生长炉内；第一旋转组件；第一旋转组件设置在生长炉的底部，坩埚安装在第一旋转组件上且第一旋转组件可以驱动坩埚转动；加热组件；加热组件套在坩埚的外围四周且加热组件的内壁与坩埚的外壁之间留有间距；第二旋转组件；第二旋转组件设置在生长炉的顶部且位于坩埚开口的正上方，第二旋转组件的底部设有放置籽晶的晶托。本发明的有益效果是：本技术方案生长速度快，温度稳定，压力稳定，生长的碳化硅晶体缺陷少且碳化硅晶体电阻率低且整片电阻率差值小，因
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117822098A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311631889.9
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人江苏卓远半导体有限公司
地址2
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