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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及程序.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及程序.pdf

    本发明具有：(a)对形成于衬底上的凹状结构的内表面进行氮化，将内表面的至少一部分改性为氮化层的工序；和(b)对包含氮化层的内表面进行氧化，将内表面改性为氧化层的工序，其中，在(a)中，将内表面的氮化层的厚度的分布设为：使得内表面的氧化层的厚度的分布成为所期望的分布。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117836917A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202180101667.9(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

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