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2024-04-06 发布于四川
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一种发光二极管及发光装置.pdf

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本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管中的外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，光波会发生衍射效应

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117832357A

(43)申请公布日2024.04.05

(21)申请号202311727902.0

(22)申请日2023.12.14

(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司

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