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电力MOSFET的基本特性;;指漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系，反映了输入电压和输出电流的关系。
ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导Gfs，即
是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。;是MOSFET的漏极伏安特性。
截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。;是工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。
通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。;当VGS低于门槛电压VGS（th）时，PMOSFET工作于截至区。
截止区内，无漏极iD电流；
截至区被源极和漏极的PN结承受着正向电压;
当VGS增加到超过门槛电压VGS（th）后，漏极才有电流；;在VDS较小[VGS(VGS-VGS(th))]时，iD几乎与VDS成正比，因此该区域工作模式也被称为欧姆模式（ohmicmode），曲线斜率倒数即为导通电阻rDS（ON）
在VDS较大[VDS(VGS-VGS(th))]时，iD与VDS偏离线性关系，随着VDS的增加，iD趋于饱和。;开通延迟时间td(on)
电流上升时间tr
电压下降时间tfv
开通时间ton=td(on)+tr+tfv;up为矩形脉冲电压信号源，Rs为信号源内阻，RG为栅极电阻，RL为漏极负载电阻，RF用于检测漏极电流。;关断延迟时间td(off)
电压上升时间trv
电流下降时间tfi
关断时间toff=td(off)+trv+tfi
MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系，可以降低栅极驱动电路的内阻Rs，从而减小栅极回路的充放电时间常数，加快开关速度。
;;谢谢观看
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