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集成门极换流晶闸管
IGCT介绍;;;目前，IGCT正在与IGBT以及其他新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。
IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。;IGCT的分类按内部结构来分，可以分成以下三类:
(1）不对称型(Asymmetric)
不对称型在结构上是单纯的PNPN品闸管结构，器件能正向承受高电压，但不具有承受反向电压的能力，也不能流过反向电流。一般需要从外部并联续流二极管。
;IGCT的分类按内部结构来分，可以分成以下三类:
(2）反向阻断型(Reverseblocking)
反向阻断型结构上是一个PNPN晶闸管与一个二极管的串联，电流只能从一个方向(从阳极到阴极)流通，串联的二级管为这类器件提供了承受反向电压的能力。;IGCT的分类按内部结构来分，可以分成以下三类:
(3）反向导通型(Reverseconducting)
在结构是一个PNPN晶闸管与一个续流二极管的反向并联，电流可以两个方向流通，不能承受反向电压。由于GCT与续流二极管集成在同一个芯片上，不需要从外部并联续流二极管，变流器在结构上更加简洁，体积更小。
;IGCT与GTO结构相似，它也是四层三端器件，内部由上千个GCT单元组成，阳极和门极共用，而阴极并联一起，故也是多元功率集成器件，便于门极关断控制。IGCT是通过印刷电路板将IGCT芯片与其门极驱动电路连接在一起，将门极驱动回路电感限制在nH级，为实现门极换流”和硬驱动奠定了基础。
;缓冲层技术通常在器件设计中，如果需要高的阻断电压值，就得要求硅片的厚度增加。但硅片厚度的增加必将导致导通和开关损耗的增大。IGCT采用缓冲层结构后，在相同阻断电压下，硅片厚度和标准结构更薄，从而大大降低了导通和开关损耗，从而提高了器件的效率。采用缓冲层还使单片GCT与二极管的组合成为可能。
;国家级供用电技术专业教学资源库;谢谢观看
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