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静电感应晶闸管SITH介绍——电力电子技术高级讲师：李彬国家级供用电技术专业教学资源库

SITH（StaticInductionThyristor）诞生于1972年，是在SIT的漏极层上附加一层与漏极层导电类型不同的发射极层而得到的。SITH的介绍国家级供用电技术专业教学资源库静电感应晶闸管SITH介绍

静电感应晶闸管（StaticInductionThyristor:SITH)又称场控晶闸管(FieldControlledThyristor:FCT)。与其它电力器件相比，SITH具有一系列突出的优点：用栅极可强迫关断，SITH的介绍国家级供用电技术专业教学资源库静电感应晶闸管SITH介绍

高耐压、高速度、大电流SITH的优异性能国家级供用电技术专业教学资源库低压降、低功耗优良的动态性能以及强的抗烧性等静电感应晶闸管SITH介绍

SITH可以做成常开型，也可以做成常关型，SITH的结构与SIT或BSIT类似，所不同的只是阳极p+代替了n+漏区。其结构可以是表面栅型或埋栅型。为了提高阻断增益，表面栅型SITH采用了n--n-p+漏区非对称结构。如图为SITH的结构示意图。国家级供用电技术专业教学资源库SITH的介绍静电感应晶闸管SITH介绍

SITH最重要的用途是作为可关断的电力开关，主要运用于正向导通和反向阻断两个状态。对于常关型器件，正栅压使其开通，负栅压使器件强迫关断。与普通晶闸管（SCR）及可关断晶闸管（GTO）相比有许多优点：SITH的通态电阻小，通态电压低，开关速度快，开关损耗小，正向电压阻断增益高，开通和关断的短路增益大，di/dt及dv/dt的耐量高。SITH为场控器件，不像SCR及GTO那样有体内再生反馈机理，所以不会因dv/dt过高而产生误触发现象。SITH与SIT一样，可以通过电场控制阳极电流，在栅极没有信号时，器件是导通的。国家级供用电技术专业教学资源库SITH的用途静电感应晶闸管SITH介绍

与SIT相比，SITH多了一个具有少子注入功能的PN结，SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，其制造工艺比GTO复杂得多，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。国家级供用电技术专业教学资源库SITH静电感应晶闸管SITH介绍

据生产单位介绍，正常工艺生产耐压1200~1800V的管子最为成熟，如果将耐压指标降到600~800V，则器件的导通压降可减小，或者关断延时可减小。而且耐压与温度为正比关系，即耐压随温度增高而增高。这些特点，无疑对应用的可靠性大为有利。SITH器件A-K端的反向电压，可以做到600V左右，这点与可控硅相同。1、耐压高国家级供用电技术专业教学资源库SITH的器件特点静电感应晶闸管SITH介绍

国家级供用电技术专业教学资源库SITH的器件特点器件在时间为10ms的正弦半波电流冲击下可承受7~10倍额定值，与普通二极管相同。有的器件在试验中金属引腿被烧断了，而器件还安然无损。这种能力主要来源于它的导通特性是一个二极管特性，虽有一定的起始电压，在小电流时功耗比其它种类器件如VDMOS等要大，但是随着电流的增长，压降近于恒定，功耗成一次方增长，而VDMOS成平方增长。到了大电流，同电压等级，同额定电流器件比较，SITH管耗就会小于VDMOS。2、过流能力强静电感应晶闸管SITH介绍

国家级供用电技术专业教学资源库SITH的器件特点另外SITH器件没有二次击穿问题,导通后没有饱和深度问题，性能稳定,抗干扰能力强。而VDMOS、IGBT、三极管等，在导通时，一旦栅极电压或电流有所波动，饱和深度不够，立即引起管耗剧增。SITH的管耗定义是在保证管壳25℃时所能通过的最大电流，几乎电力电子器件都是这样定义的。在实用中还需要折算散热条件。当然,STTH器件由于有2V以内的导通压降，故适合于200V以上电压适用，低压应用不如VDMOS优越。但是200~400V电压正是工频电网的范围，也是电力电子应用最广的范围。2、过流能力强静电感应晶闸管SITH介绍

国家级供用电技术专业教学资源库SITH的器件特点SITH器件开关速度比VDMOS低，但比可控硅快得多在0.5s以内开关，可用于50kHz左右的工作频率。其实，一种电力器件能用到多高频率直接与驱动电路有关，还与工作方式、指标要求等各种因素有关，往往综合性能好的电路设计，可以允许器件工作在较高的频率。2、过流能力强静电感应晶闸管SITH介绍

国家级供用电技术专业教学资源库SITH的器件特点SITH器件的开关控制是触发型的。在开关转换期内，为了达到足够快