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高性能聚合物

结课作业

题目：超低介电常数集合物的研究进展

班级：

学号：

XX:

学科、专业：

随着电子信息技术的突飞猛进，电子产品正朝着轻量薄型化、高性能化和多功能化的方向开展。进入21世纪以来，特别是近几年，超大规模集成电路（ULSI:UltraLargeScaleIntegratedCircuit）器件的集成度越来越高，比方我们熟知的Intel公司所生产的酷睿2双核处理器的特征尺寸已经到达65nm.当器件的特征尺寸逐渐减小时即集成度不断提高时，会引起电阻-电容（RC）延迟上升，从而出现信号传输延时、噪声干扰增强和功率损耗增大等一系列问题[1],这将极大限制器件的高速性能。降低RC延迟和功率损耗有两个途径，一是降低导线电阻R，也就是用铜（20C。时电阻率为11678|jQ?m）取代传统的铝（20C。时电阻率为21655|jQ?m）来制备导线，另外一个同时也是更重要的是降低介质层带来的寄生电容C。由于电容C正比于介电常数所以就需要开发新型、低本钱以及具有良好性能的低介电常数（83）材料来代替传统的SiO2（8约为410）作介质层。而对用于金属间的介电材料，除了满足介电性能的要求外，还必须具有较高的热稳定性，因为在器件的制造过程中需经历较高的加工温度，例如金属互联线的成型就需要在400~450C。的高温条件下进展。因此制备低介电常数材料成为现在人