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MOS控制晶闸管MCT介绍;;;;;MCT(MOS-ControlledThyristor)是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。;其芯片连续电流密度在各种器件中最高，通态压降不过是IGBT或GTR的1/3，而开关速度则超过GTR。
一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成如下：PNPN晶闸管一个（可等效为PNP和NPN晶体管各一个），控制MCT导通的MOSFET（on-FET）和控制MCT关断的MOSFET（off-FET）各一个。;当给栅极加正脉冲电压时，N沟道的on-FET导通，其漏极电流即为PNP晶体管提供了基极电流使其导通，PNP晶体管的集电极电流又为NPN晶体管提供了基极电流而使其导通，而NPN晶体管的集电极电流又反过来成为PNP晶体管的基极电流，这种正反馈使α1+α21，MCT导通。;当给栅极加负电压脉冲时，P沟道的off-FET导通，使PNP晶体管的集电极电流大部分经off-FET流向阴极而不注入NPN晶体管的基极，因此，NPN晶体管的集电极电流(即PNP晶体管的基极电流)减小，这又使得NPN晶体管的基极电流减小，这种正反馈使α1+α21，MCT关断。
MCT阻断电压高，通态压降小，驱动功率低，开关速度快。虽然MCT目前的容量水平仅为1000V/100A，其通态压降只有IGBT或GTR的1/3左右，但其硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的。
;另外，MCT可承受极高的di/dt和du/dt，其值高达2000A/s和2000V/s，这使得保护电路可以简化。其工作结温亦高达150～200℃。已研制出阻断电压达4000V的MCT，75A/1000VMCT已应用于串联谐振变换器。;;国家级供用电技术专业教学资源库;国家级供用电技术专业教学资源库;谢谢观看
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