- 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
In0.82Ga0.18As红外探测材料的MOCVD生长与器件研究的开题报告
开题报告:In0.82Ga0.18As红外探测材料的MOCVD生长与器件研究
一、研究背景及意义
随着红外技术的不断发展,红外探测器件逐渐被应用到军事、安防、医疗等领域,成为一个重要的研究热点。而InGaAs材料因具有较高的光电探测效率、响应速度快等优良性能而成为一种常用的红外探测材料。本研究主要探讨了在MOCVD生长技术下,In0.82Ga0.18As红外探测材料的生长和器件研究的问题。这对探寻红外探测应用的理论基础和推广具有重要的现实意义。
二、研究内容与方法
(一)材料生长
在研究中,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs表面上生长In0.82Ga0.18As薄膜。通过调节生长温度、源气压力、反应时间、载气流量等参数,得到性能优良的In0.82Ga0.18As薄膜。
(二)器件制备
在生长出红外探测材料后,进行探测器件制备。在衬底上制备p型掺杂区和n型掺杂区,然后通过金属电极和微电子学工艺将两个掺杂区接起来。再将制备好的器件进行测试和性能研究。
(三)性能测试
最后在实验室中对样品进行性能测试。测试内容包括电阻、载流子浓度、晶体结构、光学特性等多个方面。通过对测试数据的分析,研究材料特性、器件性能和优化生长参数的关系。
三、预期成果
通过本研究,预计能够获得以下成果:
(一)提出新的In0.82Ga0.18As生长方法,得出生长最优参数,从而制备出性能更优异的In0.82Ga0.18As材料。
(二)探究In0.82Ga0.18As材料的光学、物理性能,为材料应用提供理论基础和技术支持。
(三)分析和总结MOCVD技术下生长红外探测材料的问题和优化策略,为后续的研究和应用提供方向。
四、研究计划
(一)前期工作(2个月)
1、综合学习相关文献,掌握InGaAs红外探测器件生长和制备的基本理论知识。
2、学习MOCVD生长技术,掌握MOCVD生长器的结构、基本原理及工作原理。
3、熟悉样品制备的基本工艺流程。
(二)中期工作(4个月)
1、优化In0.82Ga0.18As材料的生长工艺,探究最优条件。
2、制备In0.82Ga0.18As探测器件,加工电极。
3、对制备好的器件进行测试得出基本性能。
(三)后期工作(2个月)
1、对测试数据进行分析,研究材料特性、器件性能和优化生长参数的关系。
2、总结结论,撰写论文。
五、研究进展
目前,已完成了前期工作的学习和理论研究工作,并开始进行样品的生长和器件制备。预计在最近几个月将进行器件性能测试及分析结果。论文初稿将在明年初完成。
文档评论(0)