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本发明属于磁传感器技术领域，公开一种磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器；磁阻元件的制备方法包括准备基板、在基板的上方制造磁阻元件、进行第一磁场退火、在各磁阻子元件中部分磁阻子元件的上方沉积软磁元件，使部分磁阻子元件为软磁元件覆盖、进行第二磁场退火以及移除软磁元件。本发明将软磁元件覆盖于各磁阻子元件中的部分磁阻子元件的上方，在满足磁化方向翻转的磁场下进行磁场退火，部分磁阻子元件的参考磁性层的磁化方向不被改变，不需要翻转即实现了半桥或全桥结构，进而实现了器件的灵敏度及工艺一致性提高以及结构简单、易于工
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117858609A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311821361.8
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人珠海多创科技有限公司
地址51
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