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本发明公开了一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体及其制备方法与应用，所述ArF光刻胶树脂单体的制备方法包括以下步骤：(1)将纳迪克酸酐与1‑乙基环戊醇在缩合剂及溶剂的存在下反应，得到中间体1；(2)将中间体1与甲酸、双氧水在溶剂的存在下反应，得到中间体2；(3)将中间体2与甲基丙烯酰氯在缚酸剂、阻聚剂及溶剂的存在下，进行酯化反应，得到所述降冰片基类ArF光刻胶树脂单体。由上述方法制备得到的降冰片基类化合物可作为ArF光刻胶树脂单体用于制备ArF光刻胶，制备得到的ArF光刻胶具有优异的抗腐蚀性能，有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117843592A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202310540417.6
(22)申请日2023.05.15
(71)申请人卓芯杰（苏州）半导体材料科技有限
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