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一种基于径向磁涡旋的自旋纳米振荡器，包括从上至下依次层叠设置的电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底，其中衬底为硅衬底，电极、重金属层、自由层、间隔层、钉扎层和衬底之间分别采用磁控溅射、真空蒸镀或分子束外延方式结合固定，在自由层的上端面中心区域成型有中心区域低两边高、能够限制径向磁涡旋进动的势垒结构，以此实现提高输出信号频率和调节信号频率的功能。本发明的自旋纳米振荡器尺寸小、功耗低、易于生产，同时在大电流密度下工作稳定，克服了传统自旋纳米振荡器中涡旋核易在边界处发生湮灭的缺点，提高了实用性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117858612A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311688638.4
(22)申请日2023.12.11
(71)申请人东睦新材料集团股份有限公司
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