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(Li,N)共掺p-ZnO薄膜、制备、性能及p-n结研究的开题报告

题目：(Li,N)共掺p-ZnO薄膜、制备、性能及p-n结研究

一、研究背景及意义

氧化锌（ZnO）是一种广泛应用的重要半导体材料，在光电器件、电子器件、化学传感器等领域有着广泛的应用。而p型ZnO因其高熵难制备、固溶度低、导电性差等限制，一直是制约其应用的主要因素之一。目前研究表明，(Li,N)共掺可以使ZnO中出现p型导电行为，这为p-ZnO的制备提供了一种新方法。同时，将p-ZnO与n-ZnO构成p-n结，可以制备出多种功能器件。

二、研究目的

1.制备(Li,N)共掺p-ZnO薄膜；

2.研究(Li,N)掺杂对ZnO薄膜物理性质的影响；

3.尝试制备p-n结，探究其光电学性质。

三、研究内容

1.制备(Li,N)共掺p-ZnO薄膜；

2.使用XRD、SEM、XPS等表征手段分析(Li,N)共掺p-ZnO薄膜的物理性质；

3.制备p-n结，使用UV-Vis光谱、PL光谱、电学测试等手段研究p-n结光电学性质。

四、研究方法

1.化学溶液法制备(Li,N)共掺p-ZnO薄膜；

2.XRD、SEM、XPS等表征手段分析物理性质；

3.使用分子束外延法制备p-n结，在光电学测试系统中测量其光电学性质。

五、预期成果

1.成功制备(Li,N)共掺p-ZnO薄膜；

2.分析(Li,N)掺杂对ZnO薄膜物理性质的影响;

3.制备成功p-n结，研究其光电学性质；

4.对p-ZnO的制备及其与n-ZnO的构成、性质有一定的了解。

六、研究难点

1.难以制备出高质量的(Li,N)共掺p-ZnO薄膜；

2.p-ZnO与n-ZnO的材料性质差异较大，p-n结界面的能级匹配难度较大。

七、研究进度

1.文献调研及开题报告撰写：已完成；

2.薄膜制备：正在进行中；

3.薄膜物理性质表征；

4.p-n结制备；

5.p-n结光电学性质测试。

八、参考文献

1.王涵，陈丽娟，赵宏兵.氮掺杂锌氧半导体的合成与研究进展[J].物理化学学报,2012,28(3):491-505.

2.Liu,J.,Song,J.,Wang,Z.L.,etal.(2009).High-performancep-typeZnO:therolesofLiandO[J].AdvancedMaterialsResearch,68-69,263-266.

3.Xie,X.,Cai,W.,Liu,J.,etal.(2008).High-qualityp-typeZnOthinfilmsbythermaldiffusionofLiintoZnO[J].AppliedPhysicsLetters,92(2),022111.