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一种半导体衬底的处理系统.pdfVIP

一种半导体衬底的处理系统.pdf

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    本发明提供一种半导体衬底的处理系统,能够快速准确测量GaAs晶片的应力并进行精准退火处理，通过第一快速应力监测装置能够快速的获得所处理GaAs晶片的整体应力分布并进行标记，通过第二应力精确监测装置，获得应力较大的区域精确的应力值，依照所测量的应力值，对于应力较大区域采用激光退火装置进行退火，改善晶片的应力分布；本发明具有操作方便、性能可靠、修复效率高等特点。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108281369A

    (43)申请公布日

    2018.07.13

    (21)申请号20181

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