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一种半导体光放大器集成激光器，包括振荡具有包括在增益带中的波长的激光的半导体激光振荡器部分和放大从半导体激光振荡器部分输出的激光的半导体光放大器部分。半导体激光振荡器部分和半导体光放大器部分具有一个共用的p‑i‑n结构，该共用的p‑i‑n结构包括活性层、与活性层分开设置的包覆层、以及形成在包覆层中的共用功能层，并且所述共用功能层包括在半导体激光振荡器部分中反射具有在增益带内的波长的光的第一部分和在半导体光放大器部分中透射具有在增益带内的波长的光的第二部分。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117856031A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202311849682.9(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所
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