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本发明属于高分子薄膜加工技术领域，具体涉及一种高γ相含量PVDF薄膜的快速制备方法。以不含任何助剂的PVDF薄膜为原料，将其加热至完全熔融并保温消除热历史；之后降温至162‑168℃，进行熔体拉伸诱导分子链取向；之后等温保持10‑30min，冷却固化，获得高γ相含量PVDF薄膜。本发明采用熔体拉伸方法，通过流场（熔体拉伸）控制分子链取向，诱导γ相快速成核与晶体生长，进而实现快速制备高γ相含量的PVDF薄膜。本方法无需加入任何溶剂或助剂，制备过程无毒无污染，制备的薄膜中γ相含量高，工艺简单，操作方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117844022A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410088473.5
(22)申请日2024.01.22
(71)申请人郑州大学
地址450000
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