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蓝宝石衬底上以AlaN/GaN材料为基础的ACT器件的设计的开题报告

一、研究背景和意义

近年来，激光器和LED器件的需求量不断增加，而且还不断地涌现出新的应用领域，如：生物探测、光通信、局域网、光存储、红外探测、激光制导、微波发射、雷达系统等，因此设计一种集成度高、性能稳定的光电子器件刻不容缓。

蓝宝石（Sapphire）是一种具有优异物理及光学性能的材料，在光电子器件领域中被广泛应用，如：便携式荧光光源、LED芯片、激光二极管、光通信等。在制备蓝宝石衬底上的光电子器件时，发现其表面质量非常高、纯度高、导热性好、稳定性佳等优点，且非常适合高速器件的制备。

蓝宝石衬底上的ACT（AluminumNitride/GalliumNitrideCompositeTransistor）器件，在航空、航天、军事等领域也有着广泛的应用，具有功率密度高、可靠性高、输出功率大、性能稳定等特点，因此本研究针对蓝宝石衬底上的ACT器件的设计是具有很高的研究价值和实用意义的。

二、研究内容和技术路线

本研究拟设计一种以AlaN/GaN材料为基础的ACT器件，并对其性能进行研究和分析。具体研究内容和技术路线如下：

1.系统地研究和分析AlaN/GaN材料的物理和化学性质，确定其在ACT器件中的应用方案；

2.设计和优化ACT器件的结构和工艺流程，采用多种光刻、薄膜沉积、离子成型等技术制备器件；

3.利用光刻技术将器件的金属电极和源极等部分制备好，并对其进行表面处理；

4.利用薄膜沉积技术制备AlaN/GaN材料，并进行原子层沉积（ALD）；

5.使用离子成型技术对器件进行加工，并用光学显微镜、电子显微镜、XRD等手段对器件进行测试和分析，探究其物理和电学特性；

6.对实验结果进行统计和分析，得出ACT器件的性能和优化方案。

三、研究预期结果和创新点

本研究预期能够成功设计制备出一种基于AlaN/GaN材料的ACT器件，并对其性能进行研究和分析，对其在激光器和LED器件等光电子器件中的应用具有重要意义。

本研究的创新点主要包括：

1.设计和制备蓝宝石衬底上的ACT器件，为光电子器件中的应用提供了一种新的解决方案；

2.采用AlaN/GaN材料作为ACT器件的材料，提高了器件的稳定性和输出功率；

3.采用多种先进技术制备和加工器件，提高了器件的制备和加工精度。

四、研究进展和计划

目前，本研究已经完成了AlaN/GaN材料的系统研究和分析，确定了其在ACT器件中的应用方案。接下来，我们将进一步进行器件的设计和制备，并对其性能进行测试和分析。

未来的计划主要包括：

1.进一步完善器件的设计和优化流程，改进器件的性能和稳定性；

2.通过对器件进行测试和分析，得出器件的性能和优化方案；

3.对实验结果进行统计和分析，获得可靠性高、输出功率大、性能稳定等特点的ACT器件。