高纯气体管路五项测试流程.docxVIP

如LREF勺值低于4。5时，请通知专业人员做雷射头清洁。

（四）氧含量分析（OxygenAnalyzer）：

目的：晶片在生产过程中，原本大气中02会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2（二氧化矽）为原始勺氧化层，如果管路勺氧含量过高，原始勺氧化层会超出原本已计算好勺厚度，如此会严重影响接下来各阶段的制程。

原理；我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方式，将微氧带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量达到客户要求的标准为止。

步骤：

a,将待测管路预吹至少4小时。

b，?取一待测管路衔接至测试仪器的inlet端。

c，?打开电源，开始测试。

Notice：

1，?选用来Purge的source尽量不使用主管路的最后一颗Valve可能会造成值会降不下来。

2，?待测管路不宜串接太多，以免压力不足，无法让仪器正常运作。

3，?氧分析用的仪器，应随时注意电解液是否已达到警戒线了。

4，?如果在仪器的显示屏幕上出现负值，表示目前管路的含氧量的浓度比仪器校正时用的标准气体浓度还纯，并非仪器损坏，欲作手动归零校正，请勿自行校正，通知专业人员。

5,?如屏幕上显示的值忽高忽低时，请检查CAP的接头是否都已松开，让气体purge出来

6,?仪器不使用时，仍需利用PN2通人仪器内，以防止电解液坏死7，?如氧含量一直都降不下

来，请确认主管路氮气的含氧量为何。(五)水含量分析(MoistureAnalyzer)

目的：晶片在生产过程中，原本大气中 H2O会和Si产生化学反应得：2H2O+Si=SiO2+2H2

其中二氧化矽为原始的氧化层，如果管路的含水量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会影响接下来各阶段的制程。

原理：我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方法，将水气带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量浓度达到客户要求的标准为止。

步骤：

A:将待测管路预吹至少4小时。

B:取一待测管路衔接到测试仪器的inlet端。

C:打开电源，开始测试。Notice：

1，?选用来purge的source尽量不所有主管路的最后一颗valve，有可能会造成值降不下来。

2，待侧管路不宜串接太多，以棉压力不足，无法让仪器正常运作。

3，?在测试的模式中有Inert及Service，在测试时应使用Inert模式测试，Inert是真正管路内的水气含量值，Service则是含有仪器本身的水含量。

4，?仪器在未使用时，也必须插上电源，以保持仪器内部的 ceii正常运作

5，?仪器内部的设定值都已做好设定，如非必要，勿自行任意调整。