Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告.docxVIP

Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究的开题报告

题目：Si衬底GaN基LED器件结构设计及有源区内电流分布的研究

一、研究背景

LED（LightEmittingDiode）作为一种新型绿色照明光源，具有高效、长寿命、低耗能等优点，正在逐渐替代传统照明光源。GaN（氮化镓）材料因其优异的光电性能成为制备高效、高亮度LED的重要材料。目前，GaN基LED器件的结构设计及性能研究受到广泛关注。

在GaN基LED器件中，有源区是光电转换的关键部分，也是电流密度最大的区域。因此，有源区内电流分布的研究对于改善器件性能具有重要意义。同时，对Si衬底GaN基LED器件的结构设计也是当前研究热点之一。

二、研究内容

本文将围绕Si衬底GaN基LED器件的结构设计及有源区内电流分布两个方面展开研究。具体内容包括：

1.分析Si衬底GaN基LED器件的基本结构和光电特性，确定优化的设计思路。

2.通过数值模拟方法，研究器件的电学性能和光学性能，并优化有源区的设计方案。

3.分析有源区内各个结构的电流分布，研究电流密度分布的影响因素，并寻求优化电流分布的方法。

4.通过实验验证器件性能，并与仿真结果进行比较和分析。

三、研究意义

通过对Si衬底GaN基LED器件的结构设计及有源区内电流分布的研究，可以得到以下几点意义：

1.优化器件结构，提高器件的光电转换效率和亮度。

2.分析电流分布的影响因素，为优化电流分布提供理论依据。

3.为制备高性能的GaN基LED器件提供相关数据和研究思路。

四、研究方法

本研究将采用有限元数值模拟方法（FEM）进行Si衬底GaN基LED器件结构设计和有源区内电流分布的研究。具体方法包括：

1.建立器件的三维有限元模型。

2.确定电学参数和材料参数，并设置边界条件。

3.通过有限元计算求解器件的电场分布、电势分布、载流子分布等电学性能。

4.通过计算得到器件的发光强度、辐射功率等光学性能，并分析有源区的光学特性。

5.通过有限元分析，研究有源区内电流分布，并寻求优化电流分布的方法。

五、预期结果

通过本研究，预计可以得到如下预期结果：

1.高效、低功耗的Si衬底GaN基LED器件设计思路和优化方案。

2.有源区内电流密度分布的规律和影响因素。

3.仿真结果与实验结果的比较和分析。

六、研究进度

本研究的进度安排如下：

1.研究文献，明确研究方向和内容。

2.建立数值模型及相关参数设置。

3.进行数值计算，得到器件的电学性能和光学性能。

4.分析有源区内电流分布，并寻求优化方案。

5.进行实验验证。

6.撰写论文。

本研究计划时间为1年。