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本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及一种硅基薄膜背接触太阳电池及其制造方法和电池模组，包括基板，在基板的背面依次设置的减反层、背面钝化层、硅薄膜吸收层、半导体分布层、金属电极，所述半导体分布层包括交替排列的第一半导体层和第二半导体层，在部分第一半导体层和部分第二半导体层的外表面设置所述金属电极，所述硅薄膜吸收层为本征单晶硅或掺杂多晶硅层，所述硅薄膜吸收层的厚度为400‑8000nm；所述第一半导体层、第二半导体层与硅薄膜吸收层的厚度之比为0.15‑30：0.15‑30：100。本发明硅基薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855305A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410257512.XH01L31/0392(2006.01)
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