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本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第一外延层；位于外延层中的埋层；位于第一外延层上的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成第一有源区和第二有源区；以及分别位于第一有源区和第二有源区中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间电性连接，衬底和外延层掺杂类型相同。该瞬态电压抑制器将占据面积较
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107527907A
(43)申请公布日
2017.12.29
(21)申请号20171
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