《新材料概论》第8章新能源材料.pptxVIP

LOGO;;;引言能源问题;;;;;;;;;;;;;;;;;（5）太阳能电池已成为各国实施可持续发展的重要选择

日本----涵盖74年的“阳光计划”；78年的“月光计划”；

89年的“地球环境技术开发计划”；

93年实施“新阳光计划”；

97年宣布7万太阳能光伏屋顶计划；

计划到2010年安装7600MWp太阳能电池。

日本利用其电子技术优势，大力发展光伏发电产品，其产量已经相当于全球产量的50%以上。

英、荷、日、美等国企业基本垄断了全球的光伏发电产品市场，其出口额占世界的贸易额的80%以上。;美国----提出了逐步提高绿色电力的发展计划。主要是通过风力发电、光伏发电、生物质能源发电等来达到目标，其中太阳光伏发电预计到2020年将占美国届时发电装机增量的15%;;（6）太阳能电池的发展

1954年美国贝尔实验室制成了世界上第一个实用的太阳能电池，效率为4%，于1958年应用到美国的先锋1号人造卫星上。

由于材料、结构、工艺等方面的不断改进，太阳能电池逐

渐由航天等特殊的用电场合进入到地面应用中。现在太阳能电池的价格不到20世纪70年代的1%。目前，年均增长率35%，是能源技术领域发展最快的行业。;;太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。;太阳能电池工作原理

太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对。样品对光子的本征吸收将产生载流子并引起光伏效应。在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，形成光电势，接通后形成光电流。;;8.1.1太阳能电池材料的分类

（1）按在电池中功能不同分为：1）p型半导体材料

n型半导体材料

电池封装材料;8.1.1太阳能电池材料的分类

（2）按化学组成不同分为：1）硅材料

多元无机化合物

有机化合物;太阳能电池的构成材料及特性;8.1.2硅材料

目前在太阳能电池领域研究最多的有三种材料：单晶硅

多晶硅非晶硅。;主要技术路线;8.1.2.1单晶硅;CompanyLogo;1）冶金级硅

主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。该过程能量消耗高，约为14kWh/kg。其纯度约98%-99%，称为冶金级硅（MG-Si）。;2）多晶硅锭

使用冶金级硅材料，也可以使用含有大量单晶颗粒的集合体或废次单晶硅熔化浇注而成。

工艺过程

多晶块料或单晶头尾料→破碎→提纯→加适量硼硅

→浇铸炉→真空加热熔化→注入石墨铸模→缓慢冷却→多晶硅锭。;①改良西门子法（闭环式三氯氢硅氢还原法）工艺流程H2+Cl2→2HCl?Si+HCl→SiHCl3?分离精馏提纯→SiHCl3

在氢还原炉中进行CVD反应→高纯硅。现在多晶硅厂大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。;②硅烷法（硅烷热分解法）

首先以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅直接氢化法等方法制取硅烷（SiH4），然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。;;④冶金法生产太阳能级多晶硅

选择纯度较好的冶金硅进行水平区熔单向凝

固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体熔解炉中去除硼杂质，再进行第二次区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束熔解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。;3）单晶硅

拉制单晶有坩埚拉制和区熔法两种。

坩埚拉制法是在氢气保护下，在石英坩埚中高温熔化多晶硅料，再经引晶，缩颈，放肩，收尾，降温等单晶拉制工艺获得硅单晶。

区熔法依靠熔体的表面张力，使熔区悬浮于多晶硅

棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行生长单晶。;CompanyLogo;4）切片

将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3mm。硅片经过抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。常规的硅片切割采用内圆切片机，其刀损为0.3-0.35mm，使晶体硅切割损失较大，且大硅片不易切得很薄。;CompanyLogo;兰州瑞德集团X07150-1型多线锯切割机;上海日进下压式NWS6X2多线钢丝切割机可同时并列切割二支Φ6×9（φ152mm×230mm）硅晶棒，切割晶片最薄厚度为

0.2mm。;5）掺杂和封装：

加工好的单晶硅片，首先要进行掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。

扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行以在硅片上形成P-n结。

然后采用丝网印刷法，将精配好的银浆印在硅

片上做成栅线，经过烧结制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。;单体片经过抽查检验，即可按所需的规格组装成太阳能电池组件（太阳能电池板）