YS∕T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法.pdf

I:::s77.040

H21YS

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T679-2018

代替YS/T679-2008

非本征半导体中少数载流子扩散

长度的测试表面光电压法

Testmethodsforminoritycarrierdiffusionlengthinextrinsic

semiconductors-Surfacephotovoltagemethod

YS/T679-2018

目次

前言…·………………………..III

1范围……

2规范性引用文件…

3术语和定义··

4方法原理……··…………………….….2

5干扰因素……．．．．．．．．．．．．

6试剂……………·……………………··············…4

7设备……………4

8样品……………….………·…..………………··……...8

9校准…....…………………...8

10测试步骤及计算……...…..........……………….8

11精密度………………………16

12试验报告……………………··＆…………M

附录AC规范性附录）铁含量的测定…………··伽…………17

附录职资料性附录）SEMIMF391-0310中关于精密度和偏差的描述…………·…·······…..21

YS/T679-2018

前言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替YS/T679-2008《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。

本标准与YS/T679-2008相比，主要技术变动如下：

－一将标准名称《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》修订为《非本征

半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法》；

一一“范围”中增加了本标准中的方法可用于测试硅中铁含量以及太阳能电池和其他光学器件的有

效扩散长度（见第1章，2008版第1章）；

一一将范围中的“本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行”列为干扰因素（见5.1,

2008版第1章〉；

一一规范性引用文件中删除了GB/T1552，增加了GB/T1551、GB/T6624,SEMIMF391-0310（见

2章，2008版第2章〉；

第

一一增加了术语和定义〈见第3章）；

一一增加了方法3数字示披器记录法，包括其方法原理、干扰因素、设备、校准、测试步骤及计算等

（见4.4、5.10、7.2、9、10.3);

一一将2008版的“意义和用途”中4.1、4.2、4.6的内容修改为“干扰因素”，删除了4.3、